三星開發(fā)DDR6內(nèi)存：性能較DDR5翻倍

2022-07-25 18:18:54 本文約有423個字，預(yù)計閱讀時間為2分鐘

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文章標(biāo)簽： DDR6

隨著英特爾在第十二代酷睿處理器中加入對DDR5內(nèi)存的支持，DDR5內(nèi)存終于正式進(jìn)入消費(fèi)市場。更重要的是隨著時間推進(jìn)，DDR5內(nèi)存價格也降到大眾的接受范圍，也有利于DDR5內(nèi)存的快速普及。在DDR5內(nèi)存逐漸主流的時候，三星已經(jīng)開始下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)過程。三星負(fù)責(zé)測試和系統(tǒng)封裝(TSP)的副總裁透露，未來內(nèi)存性能的提升，也將促進(jìn)封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，下一代DDR6內(nèi)存將采用MSAP技術(shù)。

三星下代DDR6內(nèi)存

傳統(tǒng)的刻蝕方式只能在圓形銅板上形成電路圖案的區(qū)域進(jìn)行涂層，其他區(qū)域則被蝕刻掉。但MSAP可以將傳統(tǒng)被刻蝕掉的部分涂抹電路圖案，形成更精細(xì)的電路，實現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。換句話說，就是MSAP技術(shù)允許DRAM制造商創(chuàng)建更精細(xì)電路的內(nèi)存模塊。

三星官方表示：隨著存儲芯片的容量和數(shù)據(jù)處理速度的提高，必須設(shè)計出適合這種情況的封裝。隨著層數(shù)的增加和工藝的復(fù)雜化，內(nèi)存封裝市場也將呈指數(shù)級增長。

三星下代DDR6內(nèi)存

三星下代DDR6內(nèi)存不僅會使用MSAP增強(qiáng)電路連接，同時還計劃增加DDR6內(nèi)存的堆疊層數(shù)。三星認(rèn)為，與目前主流的扇出(將I/O終端放在芯片外，縮小芯片面積、保留球狀布局)型封裝相比，三星正在應(yīng)用的扇出-晶圓級封裝(FO-WLP)和扇出-面板級封裝(FO-LP)會提高芯片的封裝密度。

三星預(yù)計DDR6內(nèi)存的設(shè)計將在2024年前完成，預(yù)計最快在2025年后進(jìn)入商業(yè)使用。規(guī)格方面，DDR6內(nèi)存的速度將再次翻倍，傳輸速度可達(dá)12800 Mbps(JEDEC)，超頻后更是可以達(dá)到17000 Mbps。作為對比，目前三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200 Mbps。

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