日本將于7月起對華實施芯片設(shè)備出口管制

2023-05-24 10:02:35 本文約有840個字，預(yù)計閱讀時間為3分鐘

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日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式公告針對高端半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制措施，并將于7月開始實施，措施內(nèi)容符合我們先前預(yù)期。主要影響為清單內(nèi)的6大類23種高端半導(dǎo)體設(shè)備（或物項）未來對華出口需申請許可證。中國大陸為日本主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商的重要收入來源地區(qū)之一，出口限制主要針對先進芯片制造，符合預(yù)期，否則若全面限制、日本半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)也會有較大沖擊。建議關(guān)注成熟制程擴產(chǎn)持續(xù)、先進制程國產(chǎn)替代力度有望加大背景下的半導(dǎo)體設(shè)備/零部件環(huán)節(jié)。

▍2023年5月23日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省發(fā)布省令，正式出臺針對23種半導(dǎo)體制造設(shè)備（或物項）的出口管制措施，并將于7月23日開始實施。

該措施內(nèi)容與3月31日的征詢公眾意見稿基本一致，符合先前預(yù)期（可參考《電子行業(yè)半導(dǎo)體重大事項點評—日本限制半導(dǎo)體設(shè)備出口，持續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化機會》（2023-4-23））。

▍本次措施主要是增加了6大類23種管制物項，對華出口需申請許可。

在清單內(nèi)的受管制物品在向中國大陸、俄羅斯等地區(qū)出口時，需要獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的許可證。清單主要針對高端半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是特別聚焦了ArF浸沒式光刻、EUV配套設(shè)備及部件、鈷/鎢等金屬沉積、高深寬比刻蝕和硅鍺刻蝕等技術(shù)指標(biāo)較高、材料特殊、在先進制程有針對性應(yīng)用的半導(dǎo)體設(shè)備品種，而光刻膠等日本優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料則未在限制行列之中。

▍具體這6大類23種半導(dǎo)體制造設(shè)備（或物項）主要包括：

1）光刻（4項）：ArF浸沒式光刻機、用于EUV光刻的涂膠顯影設(shè)備、用于EUV光刻的光罩護膜（清單中唯一一種非設(shè)備品種，用于EUV光罩的配套）及其生產(chǎn)設(shè)備。其中EUV光刻機（僅荷蘭ASML提供）的采購國內(nèi)長期受限，日本限制EUV配套產(chǎn)品沒有實質(zhì)影響，而ArF浸沒式光刻機日本尼康有相關(guān)產(chǎn)品，未來需觀察許可實際發(fā)放情況。

2）刻蝕（3項）：高深寬比刻蝕、硅鍺刻蝕等。

3）薄膜沉積（11項）：用于鈷、鎢、鉬、釕等金屬薄膜、Contact層、Low-k等介質(zhì)、掩膜版、硅和硅鍺外延等沉積的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉積設(shè)備。

4）熱處理（1項）：用于、鈷、鎢的低壓退火設(shè)備。

5）清洗（3項）：銅膜清洗、干法清洗、晶圓改性后干燥的單片濕法清洗。

6）檢測（1項）：EUV光刻掩膜版檢測設(shè)備。

物項清單雖未明確說明設(shè)備對應(yīng)的制程節(jié)點，但技術(shù)指標(biāo)、應(yīng)用于具體材料和工藝的描述均具有較強的針對性，主要面向與先進制程相關(guān)的設(shè)備品種。

▍中國大陸為日本主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商的重要收入來源地區(qū)之一，本次出口限制主要針對高端半導(dǎo)體制造，符合我們先前預(yù)期。

以日本半導(dǎo)體設(shè)備公司東京電子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）為例，三家公司2022年報（2021.4.1-2022.3.31）中國大陸客戶營收占比分別為28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區(qū)。本次出口限制主要針對先進半導(dǎo)體制造，符合我們先前預(yù)期。否則若日本對華成熟芯片相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備也實際施加限制，則將會影響日本相關(guān)設(shè)備公司的營收，長期削弱日本在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的份額優(yōu)勢，同時中國本土技術(shù)生態(tài)鏈有望在重壓下加速本土替代。