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據(jù)日媒報道,鎧俠北上工廠興建的第二座NAND廠房(K2廠),目前預(yù)定完工日期是2024年。
據(jù)CFM閃存市場此前報道,鎧俠北上K2工廠位于第1廠房(K1)的東側(cè),廠房面積為3.1萬平方公尺,于2022年4月動工,原計劃是2023年完工并稼動,投產(chǎn)后,整體北上工廠產(chǎn)能將擴(kuò)增至現(xiàn)有產(chǎn)能的近2倍。現(xiàn)在則曝出將完工與稼動時間延后,以因應(yīng)存儲市況不佳的現(xiàn)況。
鎧俠表示,目前北上工廠K2廠尚未決定完工與稼動的時間,之后將根據(jù)市況決定啟用新廠的時間。
鎧俠2022年宣布興建K2工廠的初衷,是由于來自智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心的需求非常大,NAND Flash總需求(以儲存容量換算)預(yù)估將以每年30%左右的速度呈現(xiàn)增長,公司將擴(kuò)增產(chǎn)能以應(yīng)對需求。但隨著市況反轉(zhuǎn),同年10月,鎧俠宣布四日市和北上NAND工廠減產(chǎn)30%。
報道稱,日本經(jīng)產(chǎn)省大臣西村康稔7月29日曾前往鎧俠的巖手縣北上工廠視察。鎧俠從2021年度(2021/4~2022/3)起,已獲得日本政府交付的100億日圓(0.72億美元)補(bǔ)貼,用于巖手縣北上工廠增設(shè)設(shè)備。
為應(yīng)對需求疲軟窘境,三星于今年一季度宣布加入減產(chǎn)陣列,對于下半年生產(chǎn)計劃,三星表示,將繼續(xù)維持下調(diào)的產(chǎn)能,另外,為了進(jìn)一步加速庫存正?;?,三星目前正選擇性的對某些DRAM和NAND產(chǎn)品進(jìn)行額外的生產(chǎn)調(diào)整,尤其計劃對NAND側(cè)進(jìn)行較大的調(diào)整。
SK海力士則表示,Q2庫存出現(xiàn)環(huán)比下降,但由于NAND庫存去化速度與DRAM相較緩慢,SK海力士決定進(jìn)一步擴(kuò)大NAND減產(chǎn)規(guī)模。
美光在6月底的財報中表示,將DRAM和NAND晶圓開工率進(jìn)一步減少至接近30%,預(yù)計減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。
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