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三星(samsung) 鎂光(micron) 海力士(sk hynix) 南亞(nanya) 爾必達(ELPIDA) 芯成半導(dǎo)體

存儲器格式:

- DRAM

安裝類型:

表面貼裝型 -

包裝:

卷帶（TR）,剪切帶（CT）卷帶（TR）托盤管件散裝

存儲容量:

256Mb（8M x 32） 128Mb（4M x 32） 32Mb（1M x 32） 8Gb（256M x 32） 4Gb（128M x 32） 1Gb（32M x 32） 2Gb（64M x 32） 512Mb（16M x 32） 64Mb（2M x 32） 128Mb（8M x 16） 64Mb（4M x 16） 32Mb（2M x 16） 2Gb（128M x 16） 1Gb（64M x 16） 512Mb（32M x 16） 256Mb（16M x 16） 4Gb（256M x 16）

電壓-供電:

1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V

工作溫度:

-40°C ~ 85°C（TC） -40°C ~ 85°C（TA） -40°C ~ 95°C（TC） -40°C ~ 105°C（TA） 0°C ~ 70°C（TA） -25°C ~ 85°C（TA） 0°C ~ 85°C（TC） -40°C ~ 105°C（TC）

時鐘頻率:

208 MHz 104 MHz 1.6 GHz 133 MHz 533 MHz 400 MHz 333 MHz 200 MHz 167 MHz 166 MHz

封裝/外殼:

FBGA60 60-VFBGA 90-VFBGA 200-WFBGA QFN 200-TFBGA 90-LFBGA BGA 90-TFBGA FBGA 168-TFBGA 152-VFBGA 240-WFBGA 168-WFBGA 134-TFBGA 168-VFBGA 60-TFBGA

已選條件:

32Mb（2M x 16）

1.7V ~ 1.95V

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符合商品條件：共8條

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型號：IS43LR16200C-6BLI-TR

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